フォトニクス・光学の設計課題別シミュレーション活用例

本ページでは、フォトニクス・光学設計における代表的な設計課題を分野別に整理し、シミュレーションの活用ポイント(解析アプローチ/評価観点/最適化の考え方)をまとめています。

用途に応じた解析フローやツール構成の検討、技術デモのご相談も承ります。
気になる分野のカードから概要を確認し、詳細は「関連事例を見る」から個別ページをご覧ください。

※掲載内容は一例です。記載のない分野についてもお気軽にご相談ください。

主なアプリケーション分野

メタサーフェス/ナノフォトニクス設計

メタサーフェスやメタレンズなどナノ構造による位相・偏光制御の設計イメージ

ナノ構造による位相・振幅・偏光の制御が求められるデバイスにおいて、設計パラメータと光学応答の関係を定量化し、目標特性への収束を支援します。

試作前の手戻り低減に有効です。

  • 位相/偏光制御構造の設計と最適化
  • メタレンズの集光効率・帯域評価
  • フォトニック結晶共振器の共振特性解析
  • プラズモニクス構造の近接場・遠方場評価

関連する解析領域:デバイスレベル解析(Ansys Lumerical)/光学系設計(Ansys Zemax

光結合(グレーティング/エッジカプラ)設計

グレーティングカプラ/エッジカプラによるチップと光ファイバーの結合最適化イメージ

チップ-ファイバー間やPIC内部の光結合構造において、結合効率・帯域・許容差を評価し、損失低減と実装性の両立を図ります。

許容差まで含めた設計判断に有効です。

  • グレーティングカプラの結合効率と帯域最適化
  • エッジカプラの反射・損失評価
  • アライメント許容差の定量化
  • マイクロレンズ結合の設計検討

関連する解析領域:デバイスレベル解析(Ansys Lumerical)/光学系設計(Ansys Zemax

PICデバイス設計(リング/AWG/変調器)

リング共振器やAWG、MZI変調器などPIC基本素子の設計・特性評価イメージ

フォトニクス集積回路を構成する基本素子の特性を評価し、スペクトル応答・損失・変調性能の最適化を支援します。

要件定義と設計収束の前倒しに役立ちます。

  • リング共振器のスペクトル特性と熱影響評価
  • AWGの挿入損失・クロストーク解析
  • マッハツェンダー変調器の消光比最適化
  • 波長フィルタの帯域・形状設計

関連する解析領域:デバイス・システムレベル解析(Ansys Lumerical)/設計プラットフォーム(Photonica)

イメージセンサー/受光素子(QE・迷光)解析

CMOSイメージセンサーの画素構造とマイクロレンズによる量子効率(QE)・迷光評価イメージ

受光デバイスの量子効率や迷光特性を定量評価し、感度向上と画質改善に必要な設計パラメータを明確化します。

評価観点の整理と改善案の比較に有効です。

  • 量子効率(QE)と光吸収の波長依存性評価
  • マイクロレンズ・カラーフィルタの最適化
  • 迷光(クロストーク)の経路解析と低減
  • 画素構造と光学系の整合性検討

関連する解析領域:デバイスレベル解析(Ansys Lumerical)/光学系設計(Ansys Zemax

散乱・迷光(ストレイライト)解析

表面粗さや微粒子による散乱光と迷光(ストレイライト)の経路を評価するイメージ

表面粗さや微粒子による散乱現象を定量化し、光学系内の迷光低減やセンサー感度への影響を評価します。

原因の切り分けと対策検討の効率化に有効です。

  • 表面粗さによる散乱光分布の評価
  • 微粒子散乱の波長・角度依存性解析
  • 光学系内の迷光経路特定と低減設計
  • 散乱がセンサー感度・SN比に与える影響評価

関連する解析領域:デバイスレベル解析(Ansys Lumerical)/光学系設計(Ansys Zemax

DOE(回折光学素子)/波面制御設計

DOE(回折光学素子)による波面整形とビームプロファイル制御の設計イメージ

回折効率・波面整形・位相設計の最適化を通じて、ビーム制御素子や投影系の性能と製造許容差を評価します。

実装を見据えた比較検討に有効です。

  • 回折効率の最適化と次数制御
  • 波面整形・ビームプロファイル設計
  • 位相分布設計と製造許容差の検討
  • DOEと光学系の統合評価

関連する解析領域:デバイスレベル解析(Ansys Lumerical)/光学系設計(Ansys Zemax

半導体レーザー/VCSEL解析

VCSELや半導体レーザーの共振・モード特性と温度影響を評価する設計イメージ

レーザーダイオードやVCSELのモード特性・共振条件・温度依存性を評価し、発光効率と信頼性の最適化を支援します。

設計の当たり付けとリスク低減に有効です。

  • モード分布・共振波長の設計と最適化
  • 発光分布と出力パターンの評価
  • 温度影響・熱設計と効率最適化
  • 活性層設計と発光効率の評価

関連する解析領域:デバイス・システムレベル解析(Ansys Lumerical
※光学系と組み合わせた評価が必要な場合は、光学系設計(Ansys Zemax)との併用も可能です。

導波路・モード解析(偏波・結合)

シリコン導波路のモード分布とTE/TM偏波依存、結合・損失を評価するイメージ

導波路の有効屈折率・損失・偏波依存性を評価し、PICや光回路の基本設計パラメータを確立します。

設計比較と最適化の前工程として有効です。

  • 有効屈折率と伝搬損失の評価
  • 偏波依存性(TE/TM)の定量化
  • モード結合・クロストーク解析
  • 断面形状・材料による特性最適化

関連する解析領域:デバイスレベル解析(Ansys Lumerical)/設計プラットフォーム(Photonica)

用途に応じたツール選定(概要)

設計課題や解析対象に応じて、最適なツール構成は異なります。各製品の対応領域は、以下の製品ページで確認できます。

Ansys Lumerical:フォトニクスデバイス・回路・システムの解析
Ansys Zemax:光学系設計・結像評価・公差解析
Photonica:PICレイアウト・設計プラットフォーム

用途に合わせた解析フローの整理と技術デモをご案内します

対象アプリケーションと検討フェーズを共有いただければ、解析アプローチの整理、ツール構成提案、技術デモまで支援します。

技術デモ:30〜60分|オンライン対応|専任エンジニアが対応