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ファウンドリ | 材料プラットフォーム

Indium Phosphide(InP)

レーザやSOAなどの発光・増幅素子を、同一チップにモノリシックに集積できる材料プラットフォームです。LightBridgeではSMART PhotonicsのInPプラットフォームを対象にご相談いただけます。

材料系

InP系化合物半導体

得意な領域

発光・増幅素子を含む光集積回路

提供方式

対象ファウンドリとランにより異なります。お問い合わせください。

向いている設計

光源をチップ上に集積する設計

SOAによる利得を回路の中で使う設計

発光・変調・受光を一体で構成する送受信回路

他のプラットフォームを検討すべき場合

光源を外部から供給できる設計で、低損失の受動回路が主要な要件であれば、シリコンフォトニクスや窒化シリコンが適する場合があります。

Silicon Photonicsを見る

Silicon Nitrideを見る

扱う範囲

主な設計領域

光源・増幅・受光・高速変調などの能動機能をオンチップで必要とするかどうかが、このプラットフォームを選ぶ判断の軸になります。

01

発光素子

レーザなど、チップ上で光を生成する素子。

02

増幅素子

SOAなど、回路の中で光を増幅する素子。

03

受光・変調・受動素子

受光器や変調器、受動導波路などを組み合わせて回路を構成します。

使えるビルディングブロックとその組み合わせは、対象ファウンドリのPDKとデザインルールによって決まります。

設計ワークフロー

解析・シミュレーションを含む設計の進めかたは、ソリューションで解説しています。

InPフォトニクスの設計ワークフローを見る

最終更新日

2026年8月28日

対象デバイスと、必要な素子構成をお聞かせください

エピ構造が決まっていない段階でも構いません。プラットフォームの適合性からご案内します。